ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Active |
---|---|
FET ಪ್ರಕಾರ | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | GaNFET (Gallium Nitride) |
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ | 100V |
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ | 1.7A, 500mA |
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ | - |
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Surface Mount |
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | 9-VFBGA |
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | 9-BGA (1.35x1.35) |
ರೋಹ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೋಹ್ಸ್ ದೂರು |
---|---|
ತೇವಾಂಶ ಸಂವೇದನೆ ಮಟ್ಟ (ಎಂಎಸ್ಎಲ್) | ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ |
ಲೈಫ್ಸೈಕಲ್ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ / ಜೀವನದ ಅಂತ್ಯ |
ಸ್ಟಾಕ್ ವರ್ಗ | ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸ್ಟಾಕ್ |