ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Not For New Designs |
---|---|
FET ಪ್ರಕಾರ | N-Channel |
ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ | MOSFET (Metal Oxide) |
ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ | 25V |
ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ | 19A (Ta), 74A (Tc) |
ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) | 4.5V, 10V |
ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ | 3.7 mOhm @ 19A, 10V |
Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 2.1V @ 35µA |
ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ | 17nC @ 4.5V |
Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) | ±16V |
ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 1590pF @ 13V |
FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | - |
ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Surface Mount |
ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | DIRECTFET™ SQ |
ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | DirectFET™ Isometric SQ |
ರೋಹ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೋಹ್ಸ್ ದೂರು |
---|---|
ತೇವಾಂಶ ಸಂವೇದನೆ ಮಟ್ಟ (ಎಂಎಸ್ಎಲ್) | ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ |
ಲೈಫ್ಸೈಕಲ್ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ / ಜೀವನದ ಅಂತ್ಯ |
ಸ್ಟಾಕ್ ವರ್ಗ | ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸ್ಟಾಕ್ |