| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
| ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Not For New Designs |
|---|---|
| FET ಪ್ರಕಾರ | N-Channel |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ | MOSFET (Metal Oxide) |
| ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ | 25V |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ | 32A (Ta), 160A (Tc) |
| ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) | 4.5V, 10V |
| ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ | 1.3 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ | 39nC @ 4.5V |
| Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) | ±16V |
| ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 4160pF @ 13V |
| FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | Schottky Diode (Body) |
| ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) | 2.1W (Ta), 54W (Tc) |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Surface Mount |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | DIRECTFET™ MX |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | DirectFET™ Isometric MX |
| ರೋಹ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೋಹ್ಸ್ ದೂರು |
|---|---|
| ತೇವಾಂಶ ಸಂವೇದನೆ ಮಟ್ಟ (ಎಂಎಸ್ಎಲ್) | ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ |
| ಲೈಫ್ಸೈಕಲ್ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ / ಜೀವನದ ಅಂತ್ಯ |
| ಸ್ಟಾಕ್ ವರ್ಗ | ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸ್ಟಾಕ್ |
