| ಮಾದರಿ | ವಿವರಣೆ |
| ಭಾಗ ಸ್ಥಿತಿ | Active |
|---|---|
| FET ಪ್ರಕಾರ | N-Channel |
| ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ | 1200V |
| ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ | 12A (Tc) |
| ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್) | 20V |
| ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್ | 690 mOhm @ 6A, 20V |
| Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| ಗೇಟ್ ಚಾರ್ಜ್ (ಕ್ಯೂಜಿ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಜಿಎಸ್ | 22nC @ 20V |
| Vgs (ಗರಿಷ್ಠ) | +25V, -10V |
| ಇನ್ಪುಟ್ ಕೆಪಾಸಿಟನ್ಸ್ (ಸಿಸ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವಿಡಿಎಸ್ | 290pF @ 400V |
| FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ | - |
| ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರಸರಣ (ಗರಿಷ್ಠ) | 150W (Tc) |
| ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಣಾ ಉಷ್ಣಾಂಶ | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| ಆರೋಹಿಸುವಾಗ ಪ್ರಕಾರ | Through Hole |
| ಪೂರೈಕೆದಾರ ಸಾಧನ ಪ್ಯಾಕೇಜ್ | HiP247™ |
| ಪ್ಯಾಕೇಜ್ / ಪ್ರಕರಣ | TO-247-3 |
| ರೋಹ್ಸ್ ಸ್ಥಿತಿ | ರೋಹ್ಸ್ ದೂರು |
|---|---|
| ತೇವಾಂಶ ಸಂವೇದನೆ ಮಟ್ಟ (ಎಂಎಸ್ಎಲ್) | ಅನ್ವಯಿಸುವುದಿಲ್ಲ |
| ಲೈಫ್ಸೈಕಲ್ ಸ್ಥಿತಿ | ಬಳಕೆಯಲ್ಲಿಲ್ಲದ / ಜೀವನದ ಅಂತ್ಯ |
| ಸ್ಟಾಕ್ ವರ್ಗ | ಲಭ್ಯವಿರುವ ಸ್ಟಾಕ್ |
