Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು

DZ23C24-7
Diodes Incorporated

DZ23C24-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1191

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5229BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5229BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188994

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C4V3-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C4V3-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 118516

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C18-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C18-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197404

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5246BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5246BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172203

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 17 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 12V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5237BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5237BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1243

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 6.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5241BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5241BS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 190

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 22 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 8.4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5243BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5243BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3194

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 13 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 9.9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5233BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5233BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1213

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C13-7
Diodes Incorporated

DZ23C13-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1245

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C4V3-7
Diodes Incorporated

DZ23C4V3-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3139

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C2V7-7
Diodes Incorporated

DZ23C2V7-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1215

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 83 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C20-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C20-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161642

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 15V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C15-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C15-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 190731

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PZU16DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU16DB2,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1225

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 12V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C13-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C13-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 174701

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C8V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C8V2-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 177202

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C15-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C15-HE3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139461

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 15V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 11V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C2V7-E3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178456

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 83 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C9V1-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C9V1-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 131903

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C8V2-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C8V2-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 131133

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C36-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C36-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 155091

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 90 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 27V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C5V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C5V1-E3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 192976

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 800mV,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C4V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C4V7-E3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198964

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 78 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C20-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C20-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136867

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 20V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 12V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C47-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C47-G3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 149290

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 47V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 35V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C11-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C11-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 196359

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 8.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ4J110K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J110K0R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139455

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MAZW068HGL
Panasonic Electronic Components

MAZW068HGL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 120069

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ37100D0L
Panasonic Electronic Components

DZ37100D0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153350

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 10V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ3S120D0L
Panasonic Electronic Components

DZ3S120D0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 173158

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CMXZ39VTO TR
Central Semiconductor Corp

CMXZ39VTO TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9991

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 350mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 130 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 27.3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UMZ36NT106
Rohm Semiconductor

UMZ36NT106

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147315

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UMZ4.7KFHTL
Rohm Semiconductor

UMZ4.7KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1223

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.65V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.15%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMZT6.8ET2R
Rohm Semiconductor

EMZT6.8ET2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111110

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C3V9-TP
Micro Commercial Co

DZ23C3V9-TP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 175965

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ