Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಅರೇಗಳು

DZ23C3V6-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C3V6-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198824

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5236BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5236BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129833

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 6 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5251BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5251BS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197934

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 29 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 17V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C4V7-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C4V7-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111917

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 78 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5234BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5234BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157951

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 7 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5258BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5258BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 194394

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 36V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 70 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 27V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5227BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5227BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107502

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 24 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 15µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5225BS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5225BS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138709

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C5V1-7-F
Diodes Incorporated

DZ23C5V1-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157359

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5259BS-7
Diodes Incorporated

MMBZ5259BS-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1239

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 30V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MMBZ5259BTS-7-F
Diodes Incorporated

MMBZ5259BTS-7-F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176028

ಸಂರಚನೆ: 3 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 39V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 30V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C22-7
Diodes Incorporated

DZ23C22-7

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1299

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 22V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 55 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C6V8-TP
Micro Commercial Co

DZ23C6V8-TP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162134

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C33-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143225

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 25V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C51-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C51-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165049

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 38V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C12-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C12-HE3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 118835

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 9V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C5V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C5V1-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193618

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 800mV,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C9V1-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C9V1-E3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 185242

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 7V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23B6V8-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23B6V8-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1232

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 8 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C11-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C11-G3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 166168

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 8.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C6V2-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C6V2-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178667

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C3V0-E3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144732

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ23C18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

DZ23C18-HE3-18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110983

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 14V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ4J068K0R
Panasonic Electronic Components

DZ4J068K0R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172398

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 20 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ5S082D0R
Panasonic Electronic Components

DZ5S082D0R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 146588

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MAZM062HGL
Panasonic Electronic Components

MAZM062HGL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 171623

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 150mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 50 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 200nA @ 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
DZ3X056D0L
Panasonic Electronic Components

DZ3X056D0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 167756

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 2.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SZNZL7V5AXV3T1G
ON Semiconductor

SZNZL7V5AXV3T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 196542

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 240mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 7.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UMZ18KFHTL
Rohm Semiconductor

UMZ18KFHTL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9947

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 17.96V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 13V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
FTZ6.8ET148
Rohm Semiconductor

FTZ6.8ET148

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143060

ಸಂರಚನೆ: 2 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 3.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CMPZDA24V TR
Central Semiconductor Corp

CMPZDA24V TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123935

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24.2V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 350mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 70 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 16.8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CMPZDA12V TR
Central Semiconductor Corp

CMPZDA12V TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 101380

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12.05V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 350mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
CMSZDA33V TR
Central Semiconductor Corp

CMSZDA33V TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 185823

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 275mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 23.1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PZU3.3DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU3.3DB2,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1177

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PLVA2650A,215
Nexperia USA Inc.

PLVA2650A,215

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1199

ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 700 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
PZU3.0DB2,115
Nexperia USA Inc.

PZU3.0DB2,115

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1205

ಸಂರಚನೆ: 2 Independent, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 250mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 95 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ