ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 54 x 28 x 19,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.9µH, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 43 x 4 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 32 x 6 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 6.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T65, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 23.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 25 x 13 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 32 x 16 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 32 x 16 x 11,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 250nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 25 x 6 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 38 x 4 x 25,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.9µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 15.10mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EC, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EC 41 x 20 x 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 93 x 28 x 30,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: PC200,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.4µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 58.30mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 58.3 x 40.8 x 17.6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.6µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 102 x 20 x 38,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 65.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 30 x 15 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: PC200,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 25 x 13 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಅಂತರ: N97,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 32 x 3 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 20 x 10 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: PC200, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 14.5 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 20 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 18 x 4 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 22 x 6 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 23 x 5 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 315nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 160nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: PC200, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 250nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
