ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.63µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 31.00mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 22 x 2.5 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 34 x 17 x 11,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 18 x 2 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: PQ, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 6.5µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PQ 32 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 25 x 13 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.34µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 23.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 800nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 9.5 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 17.6µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T38, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 39.40mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 18 x 2 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 6.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: T35, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 44 x 22 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 400nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 8,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 25 x 6 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 23 x 2 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 8µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: T37, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 37.50mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 43 x 4 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 30 x 15 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.56µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 43.60mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.33µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 13.60mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: P (Pot Core), ಅಂತರ: N22, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 9.40mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): PCH 9.4 x 4.6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 42 x 21 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 32 x 6 x 20,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.13µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N49, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 22.10mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): R 22.1 x 13.7 x 7.9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Multi-Hole (2), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 190nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: K1,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N27, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 29 x 16 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 22 x 2.5 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 32 x 3 x 20,
ಅಂತರ: N87,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 9.74µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T38, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 21.20mm,
