ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ELP, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ELP 22 x 6 x 16,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 32 x 5 x 21,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 25 x 6 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.02µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N27, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 13.60mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 4.46µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 51.80mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 315nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: N48, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 43 x 4 x 28,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 15 x 8 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 25 x 3 x 15,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EP, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: T38, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EP 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.19µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 16.80mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 1.13µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N49, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 23.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಅಂತರ: N49, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 23 x 5 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: P (Pot Core), ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 63nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: M33, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 7.35mm, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): P 7 x 4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ETD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ETD 39 x 20 x 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N97, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 18 x 2 x 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N30, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 20 x 10 x 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 630nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಅಂತರ: N41, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 10,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 100nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: M33, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 6,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EP, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N30, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EP 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5.3µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 12,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.63µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 23.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 7.57µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±30%, ಅಂತರ: T38, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 23.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.36µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N87, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 26.60mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 610nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N49, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 10.80mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EP, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 7µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -30%, +40%, ಅಂತರ: T38, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EP 13,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.61µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 23.30mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: EFD, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): EFD 30 x 15 x 9,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: E, ಅಂತರ: N87, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): E 30 x 15 x 7,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.71µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 18.20mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: ER, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: -20%, +30%, ಅಂತರ: PC200, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): ER 11 x 5,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 2.77µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: N30, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 17.20mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: RM, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 63nH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±3%, ಅಂತರ: M33, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): RM 4,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: Toroid, ಇಂಡಕ್ಟನ್ಸ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ (ಅಲ್): 5µH, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±25%, ಅಂತರ: T35, ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () e): 21.20mm,
ಕೋರ್ ಪ್ರಕಾರ: I, ಅಂತರ: N92, ಆರಂಭಿಕ ಪ್ರವೇಶಸಾಧ್ಯತೆ () i): I 23 x 2 x 13,
