ತರಂಗಾಂತರ: 660nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.67V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 6mA, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 86pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 660nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.67V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 5V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 86pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 820nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.7V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 55pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 650nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 21nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2.1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 60pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 0.4nm, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 0.1µF,
ತರಂಗಾಂತರ: 600nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.67V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 5V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 86pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 650nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 21nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2.1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 80mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 60pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 660nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 5V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 86pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 655nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 20nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.9V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 5V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 30pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 820nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.7V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 3.8V,
ತರಂಗಾಂತರ: 660nm,
ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 35nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2.1V (Max), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V,
ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 35nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V,
ತರಂಗಾಂತರ: 850nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 400nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಸಾಮರ್ಥ್ಯ: 21.5pF,
ತರಂಗಾಂತರ: 350nm, ಸ್ಪೆಕ್ಟ್ರಲ್ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್: 20nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 1.9V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡಿಸಿ ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವೇಳೆ) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 5V,
ತರಂಗಾಂತರ: 650nm, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಟೈಪ್): 2.75V ~ 5.25V,
ತರಂಗಾಂತರ: 650nm,
