ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

1N4992

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2456

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 270V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 800 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 206V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6310

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8944

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 60µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.4V @ 1A,

1N6486US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102

1N4469

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12208

1N4955

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9986

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100µA @ 5.7V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6341US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138

1N4963

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9953

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 12.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6338US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 45

1N6330US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 73

1N4975

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9988

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 27 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 38.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6632

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5771

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 500 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 300µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N4992US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128

1N4995US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 118

1N6634

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5299

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.9V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 500 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 175µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N4480

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12212

1N6633US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5597

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3.6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 500 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 250µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6337US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143

1N6311

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8904

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 29 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 30µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.4V @ 1A,

1N4963US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7349

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 12.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N4959

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10008

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 8.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N4957

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10024

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 25µA @ 6.9V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N4991

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122

1N6309US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5581

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.4V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.4V @ 1A,

1N4991US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 92

1N6635US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5634

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.3V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 500 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 25µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6350

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106

1N6636US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5633

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 450 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 20µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 1A,

1N6489

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50

1N6489US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124

1N4994

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50

1N4994US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 46

1N4462US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6639

1N6343US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 65

1N6310US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5651

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 30 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 60µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.4V @ 1A,

1N6485US

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 69

1N4993

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 61