Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ
2N7335
Microsemi Corporation

2N7335

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2928

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 750mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2N7334
Microsemi Corporation

2N7334

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2895

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60DSKM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60DSKM24T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 765

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Super Junction, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100H45STG
Microsemi Corporation

APTM100H45STG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 605

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 18A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120TAM33CTPAG
Microsemi Corporation

APTMC120TAM33CTPAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 78A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 3mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50H14FT3G
Microsemi Corporation

APTM50H14FT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1149

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 26A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 168 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120AM25CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM25CT3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 283

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 113A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 4mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTSM120AM08CT6AG
Microsemi Corporation

APTSM120AM08CT6AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 370A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTSM120TAM33CTPAG
Microsemi Corporation

APTSM120TAM33CTPAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 177

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 112A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 33 mOhm @ 60A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 3mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTSM120AM09CD3AG
Microsemi Corporation

APTSM120AM09CD3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 337A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 9mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTSM120AM14CD3AG
Microsemi Corporation

APTSM120AM14CD3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 248

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 337A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11 mOhm @ 180A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 9mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTSM120AM55CT1AG
Microsemi Corporation

APTSM120AM55CT1AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 589

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 74A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 2mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTSM120AM25CT3AG
Microsemi Corporation

APTSM120AM25CT3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 290

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 148A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 80A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 4mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120AM08CD3AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM08CD3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 68

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 250A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 10mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50HM65FT3G
Microsemi Corporation

APTM50HM65FT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 692

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 51A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50AM38STG
Microsemi Corporation

APTM50AM38STG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 559

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 90A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100H45SCTG
Microsemi Corporation

APTM100H45SCTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 480

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 18A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100A13SCG
Microsemi Corporation

APTM100A13SCG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 292

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 65A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 6mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50AM24SCG
Microsemi Corporation

APTM50AM24SCG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 372

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 150A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 28 mOhm @ 75A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 6mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM120H140FT1G
Microsemi Corporation

APTM120H140FT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1785

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.68 Ohm @ 7A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50H10FT3G
Microsemi Corporation

APTM50H10FT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1187

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 37A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 120 mOhm @ 18.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100A13DG
Microsemi Corporation

APTM100A13DG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 505

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 65A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 156 mOhm @ 32.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 6mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60VDAM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60VDAM24T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1155

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Super Junction, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100H45FT3G
Microsemi Corporation

APTM100H45FT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 858

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 18A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 540 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100A18FTG
Microsemi Corporation

APTM100A18FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 728

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 43A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120TAM12CTPAG
Microsemi Corporation

APTMC120TAM12CTPAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 63

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 220A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20HM20FTG
Microsemi Corporation

APTM20HM20FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 799

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 89A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60HM70T3G
Microsemi Corporation

APTC60HM70T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1635

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60AM35SCTG
Microsemi Corporation

APTC60AM35SCTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 860

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 72A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 36A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC80DDA15T3G
Microsemi Corporation

APTC80DDA15T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1954

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 28A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50HM75FT3G
Microsemi Corporation

APTM50HM75FT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 880

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 46A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60AM242G
Microsemi Corporation

APTC60AM242G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 951

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50AM19FG
Microsemi Corporation

APTM50AM19FG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 440

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 163A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM120DU15G
Microsemi Corporation

APTM120DU15G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 383

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 60A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 175 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60DDAM35T3G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM35T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1490

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 72A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60TAM24TPG
Microsemi Corporation

APTC60TAM24TPG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 401

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Super Junction, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ