ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

ಮನೆ
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

Microsemi Corporation

APTM100DU18TG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2809

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 43A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

APTM100DDA35T3G

Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2731

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 22A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2813

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 19A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2805

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 21A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 480 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTM100A12STG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2822

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 68A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 120 mOhm @ 34A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2760

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2746

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 120A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2742

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 15A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2793

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 15A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1092

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 15A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2788

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 15A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2799

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 28A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 594

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 56A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 75 mOhm @ 28A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 4mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 863

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 42A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 3mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

APTC60DSKM70T3G

Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2751

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

APTC60DSKM35T3G

Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2727

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 72A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

APTC60DDAM70T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2741

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2769

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

JANTXV2N7334

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2993

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

JANTX2N7335

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2875

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 750mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

JAN2N7335

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2942

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 750mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

JAN2N7334

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2865

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

JANTXV2N7335

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2903

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 750mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Microsemi Corporation

JANTX2N7334

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2911

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 700 mOhm @ 600mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

240

«
1
2
3
4
5
6
7
»