Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ
APTM10TAM19FPG
Microsemi Corporation

APTM10TAM19FPG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 905

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 70A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60TAM35PG
Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 622

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 72A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20AM10STG
Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 814

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 175A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60HM70SCTG
Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 825

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20HM20STG
Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 874

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 89A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60AM35T1G
Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1737

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 72A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM120A20SG
Microsemi Corporation

APTM120A20SG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 517

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 50A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 6mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC60TLM14CAG
Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 219A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20DUM04G
Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 485

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 372A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 5 mOhm @ 186A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120AM12CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 202

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N Channel (Phase Leg), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 220A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 mOhm @ 150A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 30mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60TAM21SCTPAG
Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 341

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 116A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 mOhm @ 88A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.6V @ 6mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100A23STG
Microsemi Corporation

APTM100A23STG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 772

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 36A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 270 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60AM24T1G
Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1322

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120TAM17CTPAG
Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 81

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 147A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 20mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM60H23FT1G
Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2039

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 20A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 276 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50AM38FTG
Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 808

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 90A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM120A29FTG
Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 635

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 34A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50DHM38G
Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 726

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 90A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20DUM08TG
Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 866

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 208A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM10AM02FG
Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 400

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 495A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM10DSKM09T3G
Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1457

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 139A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60BBM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1133

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTML602U12R020T3AG
Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 485

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 45A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60HM70BT3G
Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1289

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20HM16FTG
Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 748

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 104A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM20AM10FTG
Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 856

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 175A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTMC120AM09CT3AG
Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N Channel (Phase Leg), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 295A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 9 mOhm @ 200A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.4V @ 40mA (Typ),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60DDAM70T1G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2258

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 39A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60AM45BC1G
Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1478

FET ಪ್ರಕಾರ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 49A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 3mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM10TAM09FPG
Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 558

FET ಪ್ರಕಾರ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 139A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 4V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100DSK35T3G
Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1267

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 22A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60AM45B1G
Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1093

FET ಪ್ರಕಾರ: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 49A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 3mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100H46FT3G
Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1492

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 19A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 552 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM50HM75FTG
Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 809

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 46A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 2.5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTC60HM24T3G
Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 757

FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (H-Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Super Junction, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 95A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.9V @ 5mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
APTM100AM90FG
Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 379

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1000V (1kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 78A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 105 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 5V @ 10mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ