ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 222
FET ಪ್ರಕಾರ: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Silicon Carbide (SiC), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 1200V (1.2kV), ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 48A (Tc), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 49 mOhm @ 40A, 20V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.2V @ 2mA (Typ),