ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

1N5362BE3/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36847

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 28V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 6 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 20.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5344CE3/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 29223

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 5.9V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5361/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39708

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 27V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 19.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5359AE3/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39615

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 24V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 17.3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5356BE3/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 38820

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 19V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 13.7V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5348AE3/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37706

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5364BE3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97189

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 23.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N941

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 179

1N5371B/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36865

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 60V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 43V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N822

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 31423

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 3V,

1N5372C/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 30763

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 62V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 42 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 44.6V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5356AE3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97174

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 19V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 13.7V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5353BE3/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36918

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 16V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 11.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5342C/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 29281

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 4.9V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5345E3/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37679

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 6.25V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5369/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37659

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 51V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 27 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 36.7V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5373A/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39630

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 44 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 49V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5350A/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37723

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 9.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5348CE3/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 30821

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 11V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 5µA @ 8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5373/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39626

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 68V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 44 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 49V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5340E3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97157

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N4566A-1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 217

1N5349BE3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97216

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 8.6V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5351E3/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39649

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 14V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 10.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5364AE3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97140

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 33V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 23.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5371BE3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97188

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 60V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 43V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5351B/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36856

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 14V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 10.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5368AE3/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37687

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 47V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 33.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5368B/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 38793

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 47V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 33.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5350A/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39682

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 13V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±10%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 9.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N823AUR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 15795

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 500mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 10 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 3V,

1N5343C/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 30760

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 5.4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5351/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39698

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 14V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±20%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 10.1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5345B/TR8

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36858

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 2 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 10µA @ 6.25V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5371B/TR12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 38861

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 60V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 40 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 43V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,

1N5341BE3/TR13

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 97188

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 5W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 1 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 3V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 1A,