ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

MRF8S19140HR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6429

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.96GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF6VP3091NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1575

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF6V10010NR4

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1633

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.09GHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1314HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 191

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRFE6VP61K25HSR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6340

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 24dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P9300HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4726

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MHT1008NT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9320

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.4GHz ~ 2.5GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.6dB,

MRF6VP121KHR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 204

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.03GHz, ಗಳಿಕೆ: 20dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P29300HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4677

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.9GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

MRFE6S8046GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6331

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 894MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRFG35003N6AT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10964

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: pHEMT FET, ಆವರ್ತನ: 3.55GHz, ಗಳಿಕೆ: 10dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 6V,

MMRF1305HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1124

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 512MHz, ಗಳಿಕೆ: 26dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF6V2150NBR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1935

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 220MHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P26080HSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1784

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.62GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRFE6VS25GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3755

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 512MHz, ಗಳಿಕೆ: 25.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF6S20010NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4810

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF6V13250HSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6412

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 22.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF5016HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6383

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 1.8GHz ~ 2.2GHz,

MRF8S7170NR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1337

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 748MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

ON5157,127

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6400

MRF8P9040GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5310

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8P20165WHSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 894

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.98GHz ~ 2.01GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRFE6VS25NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3810

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 512MHz, ಗಳಿಕೆ: 25.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1012NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6378

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 220MHz, ಗಳಿಕೆ: 23.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1317HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 202

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.03GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRFE6VP61K25GSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 351

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 24dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF6V14300HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 239

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

ON5252,118

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6332

MRF13750HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 354

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 700MHz ~ 1.3GHz, ಗಳಿಕೆ: 20.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

MRF6VP3091NBR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1396

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P20140WGHSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1040

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.88GHz ~ 1.91GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8P18265HSR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6427

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

MRF6V12500GSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 155

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz ~ 1.215GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 200µA,

MRF6V14300HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 279

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.4GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

ON5250/A,135

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6337

MHT1108NT1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.45GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 32V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,