ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - RF

MRF1K50N-TF4

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.8MHz ~ 500MHz, ಗಳಿಕೆ: 23dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,

MRF1K50H-TF5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 93

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.8MHz ~ 500MHz, ಗಳಿಕೆ: 23.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 20µA,

MRF21010LR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6397

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8S21200HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6389

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRFE8VP8600HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 566

MRFE6VP8600HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 611

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1004NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5154

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF6V3090NBR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1570

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1304GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3747

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 512MHz, ಗಳಿಕೆ: 25.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MHT1001HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 572

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.39GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF6VP3450HR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 598

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 22.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P8300HR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 641

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 820MHz, ಗಳಿಕೆ: 20.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8P20160HR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6333

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.92GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF8HP21130HR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6423

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

ON5453,518

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6358

MRFE6VP8600HSR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6379

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRFE6VP5600HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 579

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8S21120HR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6416

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF300BN

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1302

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 27MHz ~ 250MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

ON5275,135

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6388

MMRF2010GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 386

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.09GHz, ಗಳಿಕೆ: 32.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8P29300HR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 264

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.9GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

MRF8P29300HSR6

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 326

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.9GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,

MMRF1007HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 236

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.03GHz, ಗಳಿಕೆ: 20dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1317HSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 118

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.03GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

ON5264,127

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6352

MRF8S9100HSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1407

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 920MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MMRF2007NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6392

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 940MHz, ಗಳಿಕೆ: 32.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MMRF1320GNR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2818

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 26.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF6V12500HR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 211

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.03GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

ON5257,215

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6401

MRFE6VS25LR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1517

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 512MHz, ಗಳಿಕೆ: 25.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF6VP11KGSR5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 493

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 130MHz, ಗಳಿಕೆ: 26dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MRF8S9260HSR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 694

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.6dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,

MRF6V3090NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1550

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,

MMRF1320NR1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2812

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 230MHz, ಗಳಿಕೆ: 26.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,