Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ
MUN5331DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5331DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1460

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC113EPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EPDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1467

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC123JDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161656

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSB1706DMW5T1
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1530

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5333DW1T1
ON Semiconductor

MUN5333DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1513

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC144EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC144EDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 157107

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5235DW1T1
ON Semiconductor

MUN5235DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1487

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC123TPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123TPDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 144483

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5213DW1T3G
ON Semiconductor

MUN5213DW1T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 114310

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5212DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 183961

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5233DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115589

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor

EMD5DXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1409

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1419

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5135DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180737

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC113EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC113EDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1420

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSTB1002DXV5T1
ON Semiconductor

NSTB1002DXV5T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1514

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, 40V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5234DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5234DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1437

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 25827

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC123JPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106367

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC124XDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC124XDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1489

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVMUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

NSVMUN5312DW1T2G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105116

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5313DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142403

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5332DW1T1
ON Semiconductor

MUN5332DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1515

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN5233DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5233DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139425

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN5313DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5313DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106685

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC143ZDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDXV6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 126380

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMA6DXV5T1G
ON Semiconductor

EMA6DXV5T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3146

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA115EDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107413

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104326

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC114TDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC114TDXV6T5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1473

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC143ZDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC143ZDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129909

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA114EDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBA114EDXV6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1467

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5315DW1T1
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1456

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5330DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5330DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161630

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC114EPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114EPDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172427

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5135DW1T1
ON Semiconductor

MUN5135DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1492

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ