Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ
NSBA124EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBA124EDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1456

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1405

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMG2DXV5T5
ON Semiconductor

EMG2DXV5T5

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3242

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC115EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC115EDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129082

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5316DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160200

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSB1706DMW5T1G
ON Semiconductor

NSB1706DMW5T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136591

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5133DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5133DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 183679

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5316DW1T1
ON Semiconductor

MUN5316DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1532

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSM21156DW6T1G
ON Semiconductor

NSM21156DW6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1463

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, 65V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5130DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 181618

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 155743

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSTB1004DXV5T1G
ON Semiconductor

NSTB1004DXV5T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3211

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC114YPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YPDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 167686

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5230DW1T1
ON Semiconductor

MUN5230DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1467

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5136DW1T1
ON Semiconductor

MUN5136DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1413

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
UMA4NT1G
ON Semiconductor

UMA4NT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1478

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA123EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA123EDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 64095

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5214DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115714

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVBC114YPDXV65G
ON Semiconductor

NSVBC114YPDXV65G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1485

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN5230DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5230DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 174998

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 1 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 3 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN5131DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5131DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110079

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA144EDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162633

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5137DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5137DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3198

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5315DW1T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150495

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC123EDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123EDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1458

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 2.2 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 8 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5212DW1T1
ON Semiconductor

MUN5212DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1497

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC124EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC124EPDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188714

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMC5DXV5T1G
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130128

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVB123JPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB123JPDXV6T1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107622

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA115TDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA115TDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 146030

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 100 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
MUN5232DW1T1
ON Semiconductor

MUN5232DW1T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1444

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 15 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBC123JPDXV6T1
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1461

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
EMD5DXV6T5G
ON Semiconductor

EMD5DXV6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162821

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSBA114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBA114YDP6T5G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197883

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
NSVUMC2NT1G
ON Semiconductor

NSVUMC2NT1G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193262

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T3G

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170254

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 5mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ