ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

ಮನೆ
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

Rohm Semiconductor

SH8K4TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 107909

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS8J1TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162895

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS8J11TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180714

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8K2TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169908

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SP8K2TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195188

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8K15TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 137046

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 21 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS8K11TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198738

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

US6M1TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 141982

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.4A, 1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8M13GZETB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 173570

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SP8J5TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50648

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

US6M2TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169040

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.5A, 1A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8M4TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 91212

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QH8KA1TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 125338

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 73 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS8M13TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 158531

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, 5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SP8J2TB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2628

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8M41GZETB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 127920

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 4V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.4A, 2.6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 130 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QH8MA2TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145176

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, 3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 35 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8K22TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 169285

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS6M3TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170246

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS6J1TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 160158

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 215 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 188653

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 110824

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 135582

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.2V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176441

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QH8MA4TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163064

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, 8A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 16 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS8M11TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 196980

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.5A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SP8J65TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 69246

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 7A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 29 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8M12TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 181504

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 5A, 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 42 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS8J12TCR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 145360

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 12V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 29 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8J31GZETB

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 96459

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 70 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

SH8J62TB1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 138723

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EM6M1T2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 166276

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 129283

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 127455

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1 Ohm @ 200mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

178

«
1
2
3
4
5
»