Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ
SCS306AHGC9
Rohm Semiconductor

SCS306AHGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5214

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 6A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS215KGHRC
Rohm Semiconductor

SCS215KGHRC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4604

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 15A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 15A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFUS20TM4S
Rohm Semiconductor

RFUS20TM4S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 38353

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 430V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFNL20TJ6SGC9
Rohm Semiconductor

RFNL20TJ6SGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 39041

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 180ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS310APC9
Rohm Semiconductor

SCS310APC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 14032

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFVS8TJ6SGC9
Rohm Semiconductor

RFVS8TJ6SGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 56407

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 3V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 40ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RF505TF6S
Rohm Semiconductor

RF505TF6S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47935

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS220AGC
Rohm Semiconductor

SCS220AGC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7823

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 20A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RF1005TF6S
Rohm Semiconductor

RF1005TF6S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 45010

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.7V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 40ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFNL10TJ6SGC9
Rohm Semiconductor

RFNL10TJ6SGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 49154

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS215KGC
Rohm Semiconductor

SCS215KGC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5083

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 15A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 15A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS312AHGC9
Rohm Semiconductor

SCS312AHGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5067

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 12A (DC), ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS205KGHRC
Rohm Semiconductor

SCS205KGHRC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10202

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 5A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 5A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS212AMC
Rohm Semiconductor

SCS212AMC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12077

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 12A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 12A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS302AHGC9
Rohm Semiconductor

SCS302AHGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5110

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 2.15A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 2A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFUS20TM6S
Rohm Semiconductor

RFUS20TM6S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 37612

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.8V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFN20TF6SFH
Rohm Semiconductor

RFN20TF6SFH

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 28389

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 60ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor

SCS212AJTLL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 25514

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 12A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 12A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor

SCS210AJHRTLL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4329

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS308AHGC9
Rohm Semiconductor

SCS308AHGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4353

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 8A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFX10TF6S
Rohm Semiconductor

RFX10TF6S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 42119

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.5V @ 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFV8TG6SGC9
Rohm Semiconductor

RFV8TG6SGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 50867

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.8V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 45ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFU20TM5S
Rohm Semiconductor

RFU20TM5S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 36108

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 530V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFV8TJ6SGC9
Rohm Semiconductor

RFV8TJ6SGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 49848

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.8V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 45ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS206AGHRC
Rohm Semiconductor

SCS206AGHRC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 13862

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 6A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS315AHGC9
Rohm Semiconductor

SCS315AHGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4301

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 15A (DC), ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFUS10TF4S
Rohm Semiconductor

RFUS10TF4S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 63220

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 430V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS306APC9
Rohm Semiconductor

SCS306APC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 19954

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 6A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 6A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS220KGHRC
Rohm Semiconductor

SCS220KGHRC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3505

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 20A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS120KGC
Rohm Semiconductor

SCS120KGC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1540

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.75V @ 20A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS310AMC
Rohm Semiconductor

SCS310AMC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5342

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS310AHGC9
Rohm Semiconductor

SCS310AHGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5358

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.5V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SCS210AMC
Rohm Semiconductor

SCS210AMC

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 27731

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Silicon Carbide Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 650V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 10A (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.55V @ 10A, ವೇಗ: No Recovery Time > 500mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 0ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFV12TG6SGC9
Rohm Semiconductor

RFV12TG6SGC9

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 42386

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 12A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.8V @ 12A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 45ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RB058L-60DDTE25
Rohm Semiconductor

RB058L-60DDTE25

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121724

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 640mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RFUS20TF6S
Rohm Semiconductor

RFUS20TF6S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 41391

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 20A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.8V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 35ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ