ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ

ಮನೆ
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152609

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 98

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 114931

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 137653

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 153875

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 350 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9987

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual) Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115889

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4365

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 167758

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 115887

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 300mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 4mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 179411

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4432

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124168

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 7 NPN Darlington, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 50µA, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 1000 @ 350mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104094

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147055

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 100mA, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104803

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 104

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 184759

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4437

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4500

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4488

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 184335

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4476

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4401

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 7 NPN Darlington, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 50µA, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 1000 @ 350mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6508

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151500

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4471

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 8 NPN Darlington, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 1000 @ 350mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9945

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 300mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 350 @ 4mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111105

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4492

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 100mA, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4430

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 7 NPN Darlington, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 50µA, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 1000 @ 350mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 76

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 10MA, 100MA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4464

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 8 NPN Darlington, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 1000 @ 350mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4503

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 350 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9904

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

58

«
1
2
»