Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಐಜಿಬಿಟಿಗಳು - ಏಕ
GT60N321(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT60N321(Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6662

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 60A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಪಲ್ಸ್ (ಐಸಿಎಂ): 120A, Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 170W,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
GT50J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6662

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಪಲ್ಸ್ (ಐಸಿಎಂ): 100A, Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 240W,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
GT8G133(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6700

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಪಲ್ಸ್ (ಐಸಿಎಂ): 150A, Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 600mW,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
GT10G131(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6737

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಪಲ್ಸ್ (ಐಸಿಎಂ): 200A, Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1W,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
GT10J312(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6730

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಪಲ್ಸ್ (ಐಸಿಎಂ): 20A, Vce (ಆನ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 60W,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ