Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಏಕ
IRFU020PBF
Vishay Siliconix

IRFU020PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9680

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 14A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 8.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI1070X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1070X-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121713

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 2.5V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 99 mOhm @ 1.2A, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI1031R-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1031R-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154874

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 140mA (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 1.5V, 4.5V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFD113
Vishay Siliconix

IRFD113

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9527

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 800mA (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 800 mOhm @ 800mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFI744GPBF
Vishay Siliconix

IRFI744GPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5618

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 450V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.9A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 630 mOhm @ 2.9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF644NSPBF
Vishay Siliconix

IRF644NSPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9634

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 14A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRCZ34PBF
Vishay Siliconix

IRCZ34PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9620

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 18A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF734PBF
Vishay Siliconix

IRF734PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9627

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 450V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.9A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.2 Ohm @ 2.9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRCZ24PBF
Vishay Siliconix

IRCZ24PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9629

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 17A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 100 mOhm @ 10A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7884BDP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7884BDP-T1-E3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47716

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 58A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7.5 mOhm @ 16A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFB17N60KPBF
Vishay Siliconix

IRFB17N60KPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9673

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 17A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 420 mOhm @ 10A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRC830PBF
Vishay Siliconix

IRC830PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9676

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFP344PBF
Vishay Siliconix

IRFP344PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9575

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 450V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 630 mOhm @ 5.7A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFPS30N60KPBF
Vishay Siliconix

IRFPS30N60KPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9647

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 190 mOhm @ 18A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFP254NPBF
Vishay Siliconix

IRFP254NPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5956

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 23A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 125 mOhm @ 14A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix

IRFD9120PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 72595

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 600 mOhm @ 600mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFR9220TRPBF
Vishay Siliconix

IRFR9220TRPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172352

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.6A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF634SPBF
Vishay Siliconix

IRF634SPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9632

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.1A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 450 mOhm @ 5.1A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFI734GPBF
Vishay Siliconix

IRFI734GPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9640

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 450V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 3.4A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.2 Ohm @ 2A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFBC20LPBF
Vishay Siliconix

IRFBC20LPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9695

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.2A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7884BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7884BDP-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 99346

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 58A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 7.5 mOhm @ 16A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFZ30PBF
Vishay Siliconix

IRFZ30PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9592

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 30A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 16A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7190DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7190DP-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 31617

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 18.4A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 6V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 118 mOhm @ 4.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7434DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7434DP-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 58897

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 2.3A (Ta), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 6V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 155 mOhm @ 3.8A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SQJ850EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ850EP-T1_GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 93756

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 24A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 23 mOhm @ 10.3A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRF644NPBF
Vishay Siliconix

IRF644NPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9608

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 14A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 240 mOhm @ 8.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFIB8N50K
Vishay Siliconix

IRFIB8N50K

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9549

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.7A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 350 mOhm @ 4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFL110PBF
Vishay Siliconix

IRFL110PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9727

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.5A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 540 mOhm @ 900mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFPS29N60LPBF
Vishay Siliconix

IRFPS29N60LPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9560

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 29A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 210 mOhm @ 17A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRC540PBF
Vishay Siliconix

IRC540PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9658

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 28A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 77 mOhm @ 17A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7615DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7615DN-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 101187

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 35A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 6V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFIB5N50LPBF
Vishay Siliconix

IRFIB5N50LPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9563

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 500V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4.7A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 800 mOhm @ 2.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SI7129DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7129DN-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 166848

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 35A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 4.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 11.4 mOhm @ 14.4A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRFP15N60LPBF
Vishay Siliconix

IRFP15N60LPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9591

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 15A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 460 mOhm @ 9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SIA449DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA449DJ-T1-GE3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 199462

FET ಪ್ರಕಾರ: P-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 12A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 2.5V, 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 20 mOhm @ 6A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
IRC634PBF
Vishay Siliconix

IRC634PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9647

FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ತಂತ್ರಜ್ಞಾನ: MOSFET (Metal Oxide), ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 250V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 8.1A (Tc), ಡ್ರೈವ್ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ಗರಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್, ಕನಿಷ್ಠ ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್): 10V, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 450 mOhm @ 4.9A, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ