ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು | ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು | 21

12TTS08STRR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4797

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 8A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 12.5A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7584

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 6.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08STRR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7614

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 6.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7644

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 8A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 12.5A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4813

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 8A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 12.5A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7583

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 6.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TTS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7620

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 6.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7665

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12STRL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7597

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7581

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI80

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7616

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.57V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 172A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08STRL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7605

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

112RKI40

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7639

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.57V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 172A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12FP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7603

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08FP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7640

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7612

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7561

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7567

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

16TTS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7649

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

12TTS08STRL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7552

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 8A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 12.5A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

2N5204

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6353

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 22A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 35A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7636

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12STRL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7571

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7576

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12FP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7581

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7613

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08STRL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7660

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7607

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08FP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7638

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7653

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

25TTS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7614

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS12

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7665

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 20A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 30A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

30TPS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4828

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 20A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 30A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4854

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.85V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 35A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 55A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS12A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4839

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.85V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 35A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 55A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

40TPS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7657

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.85V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 35A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 55A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ