Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು

  • ಮನೆ
  •  
  • ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು
VS-ST103S08PFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST103S08PFL1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 876

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 105A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 165A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST330S12P1PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S12P1PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 495

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 520A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-16TTS12FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12FP-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 27291

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST083S12PFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 866

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1230C12K1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C12K1P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 306

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1745A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3200A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST280CH04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280CH04C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1104

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 500A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 960A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST110S16P0PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P0PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1089

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST280C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280C04C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1294

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.36V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 500A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 960A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST303C10CFJ0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C10CFJ0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 704

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C20K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 370

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1473A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2913A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-16TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS08-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 30099

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1000C18K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C18K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 335

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.8kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1473A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2913A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST230C12C0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1238

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.69V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 410A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 780A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C24K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 296

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1473A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2913A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST330C08C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C08C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 931

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1420A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST083S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 797

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST780C04L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST780C04L0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 599

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.31V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1350A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2700A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-81RIA40PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA40PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2444

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 80A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 125A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1200C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 250

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST180S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S12P1V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 711

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-2N692
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N692

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4718

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST083S08PFN0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFN0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 758

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-2N684
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N684

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 10050

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 150V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST280S06P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S06P0V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1202

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.28V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 280A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 440A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-12TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12TTS08STRL-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 73596

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 8A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 12.5A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST110S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P1V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 967

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-81RIA120PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-81RIA120PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1984

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 80A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 125A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST300C20L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C20L1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 571

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1290A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1200C16K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K1L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 236

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-50RIA80M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA80M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2600

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 50A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 80A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST110S08P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P1VPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1239

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST300S18M0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 355

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.8kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.66V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 300A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 470A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST180S20P0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S20P0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 546

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-25RIA120M
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3528

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.7V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 40A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST300C04C1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C04C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1082

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1290A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST180S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0VPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 965

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ