ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು | ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು | 21

VS-25TTS08FP-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 27190

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 321

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C16L1L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 570

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 910A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1857A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7354

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.85V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 35A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 55A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120MPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 776

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.57V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 172A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK0P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 974

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P0V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 733

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.28V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 280A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 440A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C08L0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 602

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 990A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2000A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 483

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 520A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08P0V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 705

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 627

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 910A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1857A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1280C06K0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 394

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.44V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2310A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 4150A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 416

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 520A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P1VPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1228

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1106

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 180A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 285A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C16K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 380

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1473A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2913A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C12L1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 621

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1420A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S10PFK1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 843

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 637

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 990A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2000A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST183C04CFN0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1083

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 370A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 690A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 587

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1420A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25RIA120

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3842

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.7V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 40A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0LP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 398

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04LFK0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 491

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 674

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1420A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST650C22L0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 480

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.07V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 790A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1557A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L1L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 562

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 990A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2000A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C14L0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 556

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 990A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2000A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S12P0V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 874

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C16C0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 984

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.69V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 410A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 780A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S04P0VPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1068

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 230A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 360A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-111RKI120M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 783

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 120mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.57V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 172A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C16K0P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 345

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1745A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3200A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S16P1PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1084

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFN1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 852

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 719

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ