Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು

  • ಮನೆ
  •  
  • ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಅರೇಗಳು
85CNQ015ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3717

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
85CNQ015ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4452

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
87CNQ020ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3635

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
87CNQ020ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

87CNQ020ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3654

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
83CNQ080ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3712

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 80A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
83CNQ080ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ080ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 4456

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 80A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
89CNQ150A
Vishay Semiconductor Diodes Division

89CNQ150A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3724

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 990mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
88CNQ060A
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3697

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 580mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
88CNQ060ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3691

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 580mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3697

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3690

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
81CNQ040ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3643

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 740mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
88CNQ060ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

88CNQ060ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3635

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 580mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
81CNQ040ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ040ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3681

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 740mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ040ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ040ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3672

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ045ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3652

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ035ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3642

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
81CNQ035ASM
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3654

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 740mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
81CNQ035ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

81CNQ035ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3668

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 740mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CPQ020
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CPQ020

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3686

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 460mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
85CNQ015A
Vishay Semiconductor Diodes Division

85CNQ015A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3599

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
82CNQ030ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3616

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
83CNQ100A
Vishay Semiconductor Diodes Division

83CNQ100A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3587

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
82CNQ030A
Vishay Semiconductor Diodes Division

82CNQ030A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3557

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 80A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ045ASL
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045ASL

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3588

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
80CNQ045A
Vishay Semiconductor Diodes Division

80CNQ045A

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3592

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 40A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 520mV @ 40A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAS70-06-V-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-06-V-GS18

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142191

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Anode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 70V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 410mV @ 1mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYQ28E-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYQ28E-200-E3/45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 65386

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYVB32-100-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-100-E3/81

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 80261

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 18A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.15V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYVB32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-200-E3/45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 88858

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 18A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.15V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV32-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-200-E3/45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 42629

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 18A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.15V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV32-100-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV32-100-E3/45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 93655

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 18A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.15V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYVB32-50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYVB32-50-E3/81

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 80281

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 18A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.15V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAS70-04-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS70-04-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193313

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Series Connection, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 70V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 15mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYT28-400HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT28-400HE3/45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 117706

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAV70-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV70-G3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 191793

ಡಯೋಡ್ ಸಂರಚನೆ: 1 Pair Common Cathode, ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 70V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ) (ಪ್ರತಿ ಡಯೋಡ್‌ಗೆ): 250mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 150mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ