FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 5mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 3V @ 1nA,
FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 5mA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2.5V @ 1nA,
FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 5mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 500mV @ 1nA,
FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 25mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 2V @ 1nA,
FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 50mA @ 20V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 4V @ 1nA,
FET ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಸ್ಥಗಿತ (ವಿ (ಬಿಆರ್) ಜಿಎಸ್ಎಸ್): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿಎಸ್) @ ವಿಡಿಎಸ್ (ವಿಜಿಎಸ್ = 0): 500µA @ 15V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಟಾಫ್ (ವಿಜಿಎಸ್ ಆಫ್) @ ಐಡಿ: 600mV @ 100nA,