ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - en ೀನರ್ - ಏಕ

BZX384C9V1-E3-08

BZX384C9V1-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195421

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 15 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZX84C18-HE3-08

BZX84C18-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 189772

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 12.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZX84C2V7-E3-08

BZX84C2V7-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 113829

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 20µA @ 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZX384C12-E3-08

BZX384C12-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 187481

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 12V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 25 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 100nA @ 8V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05C91-M3-08

BZG05C91-M3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 16290

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 91V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.04%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZT52C2V7-E3-08

BZT52C2V7-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124172

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 2.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 410mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 75 Ohms,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZX84B30-E3-08

BZX84B30-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 130993

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 30V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 300mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 80 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 21V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZX584C5V1-V-G-08

BZX584C5V1-V-G-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 197800

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 5.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±5%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 60 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 2µA @ 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05C4V7-M3-08

BZG05C4V7-M3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 16228

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 4.7V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±6.38%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 13 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 3µA @ 1V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZX384B18-E3-08

BZX384B18-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102853

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 18V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 200mW, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 45 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 50nA @ 12.6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG03C75TR3

BZG03C75TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 189041

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 100 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 500mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B9V1-HE3-TR3

BZG05B9V1-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3687

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.98%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B9V1-E3-TR3

BZG05B9V1-E3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6867

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.98%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B9V1-HE3-TR

BZG05B9V1-HE3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6863

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.98%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B91-HE3-TR3

BZG05B91-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6936

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 91V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B9V1-E3-TR

BZG05B9V1-E3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6916

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 9.1V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.98%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.8V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B91-E3-TR3

BZG05B91-E3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6877

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 91V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B91-HE3-TR

BZG05B91-HE3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6918

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 91V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B91-E3-TR

BZG05B91-E3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6925

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 91V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 250 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 68V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B8V2-HE3-TR3

BZG05B8V2-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6890

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.95%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B8V2-HE3-TR

BZG05B8V2-HE3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6898

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.95%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B8V2-E3-TR3

BZG05B8V2-E3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6892

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.95%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B8V2-E3-TR

BZG05B8V2-E3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6881

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 8.2V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±1.95%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 6.2V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B82-HE3-TR3

BZG05B82-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6931

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 82V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 62V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B82-HE3-TR

BZG05B82-HE3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6853

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 82V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 62V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B82-E3-TR3

BZG05B82-E3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6839

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 82V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 62V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B82-E3-TR

BZG05B82-E3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6848

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 82V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 200 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 62V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B7V5-HE3-TR3

BZG05B7V5-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6879

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 4.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B7V5-E3-TR

BZG05B7V5-E3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6848

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 4.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B7V5-E3-TR3

BZG05B7V5-E3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6839

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 7.5V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 4.5V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B75-HE3-TR3

BZG05B75-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6895

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 135 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B75-HE3-TR

BZG05B75-HE3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3709

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 135 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B75-E3-TR3

BZG05B75-E3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6864

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 135 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B75-E3-TR

BZG05B75-E3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6901

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 75V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 135 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 500nA @ 56V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B6V8-HE3-TR

BZG05B6V8-HE3-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6860

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.06%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BZG05B6V8-HE3-TR3

BZG05B6V8-HE3-TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6919

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - en ೀನರ್ (ನೋಮ್) (Vz): 6.8V, ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ±2.06%, ಶಕ್ತಿ - ಗರಿಷ್ಠ: 1.25W, ಪ್ರತಿರೋಧ (ಗರಿಷ್ಠ) (zzt): 3.5 Ohms, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಹಿಮ್ಮುಖ ಸೋರಿಕೆ @ Vr: 1µA @ 4V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.2V @ 200mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ