Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಡಯೋಡ್‌ಗಳು - ರಿಕ್ಟಿಫೈಯರ್‌ಗಳು - ಏಕ
BYV26C-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 143799

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.5V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAT42W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42W-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163524

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 650mV @ 50mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 5ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
B360B-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B360B-E3/52T

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102416

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 660mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BA157-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA157-E3/54

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 114517

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 150ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV26DGP-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26DGP-E3/73

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 159527

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.5V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 75ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BA159-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA159-E3/54

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 154614

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 500ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV27-100-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-100-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 191875

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.07V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 25ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYM10-100-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-100-E3/97

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106924

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 1A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV26A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26A-TAP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 183151

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.5V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 30ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV27-150-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 131464

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 165V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.07V @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 25ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYG22B-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105305

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 2A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 25ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAV202-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV202-GS08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193112

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 250mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 100mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAT81S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123502

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 30mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 15mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAW76-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 103779

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 300mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 100mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 4ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAT42-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 136977

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 650mV @ 50mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 5ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYM10-400-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM10-400-E3/96

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161468

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.1V @ 1A, ವೇಗ: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAV20WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178561

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 250mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 200mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAT43W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43W-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180896

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 450mV @ 15mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 5ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAV21WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21WS-HE3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 155591

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 250mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 200mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
B340A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340A-E3/61T

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 134345

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 550mV @ 3A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAS170WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-E3-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180654

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 70V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 70mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 15mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAT83S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132524

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 30mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 15mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAV19-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178480

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 250mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 100mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAW75-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW75-TAP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 106301

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 300mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 30mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 4ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAS34-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TAP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 172791

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 100mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYM13-60-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM13-60-E3/96

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 177919

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 700mV @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV26E-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26E-TAP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 148905

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 2.5V @ 1A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 75ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYG21M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21M-E3/TR3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 196643

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 1000V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.6V @ 1.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 120ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAW76-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW76-TAP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 181821

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 300mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 100mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 4ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAT85S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TAP

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 152235

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 200mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 800mV @ 100mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 5ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYG20J-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20J-E3/TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 195021

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Avalanche, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 1.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.4V @ 1.5A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 75ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAS40-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS40-02V-V-G-08

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 119547

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Schottky, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 120mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 380mV @ 1mA, ವೇಗ: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 5ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYV29-400-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV29-400-E3/45

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147279

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.25V @ 8A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BAV20-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TR

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122116

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 250mA (DC), ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1V @ 100mA, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 50ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYWB29-100HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-100HE3/81

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 87408

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 25ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
BYWB29-200HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYWB29-200HE3/81

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 87472

ಡಯೋಡ್ ಪ್ರಕಾರ: Standard, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಡಿಸಿ ರಿವರ್ಸ್ (ವಿಆರ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸರಾಸರಿ ಸರಿಪಡಿಸಲಾಗಿದೆ (ಅಯೋ): 8A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಫಾರ್ವರ್ಡ್ (ವಿಎಫ್) (ಗರಿಷ್ಠ) @ ವೇಳೆ: 1.3V @ 20A, ವೇಗ: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), ರಿವರ್ಸ್ ರಿಕವರಿ ಸಮಯ (trr): 25ns,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ