Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು

  • ಮನೆ
  •  
  • ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು
VS-ST333C04LFM0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFM0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 588

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1435A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST303C12LFK0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFK0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 443

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 515A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 995A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST300C18C1L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C18C1L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 609

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.8kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1290A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST230C12C2
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C12C2

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1201

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.69V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 410A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 780A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-16TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16TTS12S-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 71052

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 60mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.4V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST083S12PFK0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK0P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1009

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1230C14K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 288

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1745A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3200A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-30TPS12LHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30TPS12LHM3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3020

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 20A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 30A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST223C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST223C08CFL1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1429

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.58V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 390A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 745A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST180S06P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S06P1VPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1120

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST280S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST280S04P1V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 716

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.28V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 280A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 440A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-180RKI100
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI100

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 955

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 180A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 285A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST083S12PFK1P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S12PFK1P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 991

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1200C20K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C20K0P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 279

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-2N688
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-2N688

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 8199

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 40mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1200C16K0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C16K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 293

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-25TTS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12SLHM3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST333S04PFL0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S04PFL0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 420

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 518A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST730C12L0L
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C12L0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 613

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 990A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2000A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST203C12CFJ1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST203C12CFJ1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 954

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.72V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 370A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 700A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST333C04CFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04CFM1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 875

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1435A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-10TTS08SPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08SPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 47257

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 6.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST380C06C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380C06C0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 831

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 960A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1900A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST300C12C0
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300C12C0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 843

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.18V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1290A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-25TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS08S-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 72650

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST1200C14K0P
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C14K0P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 344

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-10TTS08-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10TTS08-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 42450

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 15mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 6.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST700C12L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST700C12L1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 635

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 910A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1857A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST730C18L1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST730C18L1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 556

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.8kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 990A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2000A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST303C08CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08CFL1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 826

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-50TPS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50TPS12L-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 18144

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.32V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 50A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 79A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST303C08LFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C08LFL1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 470

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-25TTS16STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRR-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 52782

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST303C04CFL1
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFL1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 918

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST230S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P0VPBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1017

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 230A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 360A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
VS-ST110S08P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST110S08P0V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1033

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 110A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 175A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ