ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.7GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 22.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 225MHz, ಗಳಿಕೆ: 24dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.39GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 21dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.09GHz, ಗಳಿಕೆ: 21dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.16GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 1.98GHz ~ 2.01GHz, ಗಳಿಕೆ: 14.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.96GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.68GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.96GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 940MHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HFET, ಆವರ್ತನ: 1.9GHz, ಗಳಿಕೆ: 12dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 3.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HFET, ಆವರ್ತನ: 12GHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 15mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 0.5dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 460MHz, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 7.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 3A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 15.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 20A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 2.5A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: E-pHEMT, ಆವರ್ತನ: 10GHz, ಗಳಿಕೆ: 9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 100mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 0.81dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 100µA,