ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.6GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 12A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 945MHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 4A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 40A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 18.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 760MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.8dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.805GHz ~ 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), Common Source, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 0Hz ~ 6GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 48V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 3.5A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HEMT, ಆವರ್ತನ: 960MHz ~ 1.215GHz, ಗಳಿಕೆ: 20.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 33A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz, ಗಳಿಕೆ: 16dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 450MHz, ಗಳಿಕೆ: 22dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 21.4dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.81GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: pHEMT FET, ಆವರ್ತನ: 3.55GHz, ಗಳಿಕೆ: 10dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 12V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 880MHz, ಗಳಿಕೆ: 19.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HFET, ಆವರ್ತನ: 12GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 70mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 0.35dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 940MHz, ಗಳಿಕೆ: 20.7dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.69GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.1dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
