ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.03GHz, ಗಳಿಕೆ: 20.3dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 225MHz, ಗಳಿಕೆ: 25dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 12.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 3.4GHz ~ 3.6GHz, ಗಳಿಕೆ: 14dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 14.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 12.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 12A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2GHz, ಗಳಿಕೆ: 11.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.66GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 17.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 26V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.99GHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 13dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 7.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 4A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.16GHz ~ 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS (Dual), ಆವರ್ತನ: 2.62GHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: pHEMT FET, ಆವರ್ತನ: 3.55GHz, ಗಳಿಕೆ: 11.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 12V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.17GHz, ಗಳಿಕೆ: 18dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 30V,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 1.88GHz, ಗಳಿಕೆ: 16.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 1µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 960MHz, ಗಳಿಕೆ: 19dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 15.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 10µA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: E-pHEMT, ಆವರ್ತನ: 12GHz, ಗಳಿಕೆ: 11dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 50mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 1dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: HFET, ಆವರ್ತನ: 20GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 15mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 0.7dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 460MHz, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 7.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 3A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 2.14GHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 250mA, 1A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 900MHz, ಗಳಿಕೆ: 22.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 7.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 600mA,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: pHEMT FET, ಆವರ್ತನ: 1.9GHz, ಗಳಿಕೆ: 19.9dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 180mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 0.9dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel JFET, ಆವರ್ತನ: 450MHz, ಗಳಿಕೆ: 12dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 10V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 60mA, ಶಬ್ದ ಚಿತ್ರ: 3dB,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: LDMOS, ಆವರ್ತನ: 860MHz, ಗಳಿಕೆ: 20dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 32V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 24A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 15dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 20A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 175MHz, ಗಳಿಕೆ: 17dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 50V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 40A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 400MHz, ಗಳಿಕೆ: 13.5dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 28V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 2.5A,
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: N-Channel, ಆವರ್ತನ: 870MHz, ಗಳಿಕೆ: 16.2dB, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಪರೀಕ್ಷೆ: 7.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ ರೇಟಿಂಗ್: 7A,
