Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಅರೇಗಳ
RN4910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4910(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1539

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1506(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128569

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2903FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2903FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147906

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2511(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2511(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 175959

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN4902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3229

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 50 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2962FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2962FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1530

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 50 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1971FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1504

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2711(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2711(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1466

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 400 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2969(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2969(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178670

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3238

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 50 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2967(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142485

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1906FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE,LF(CT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 162851

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1510(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 122352

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2907(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1469

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1534

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1510

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2711JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2711JE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 139401

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1605TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1605TE85LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 170733

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 2.2 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1701JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1701JE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 13233

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2601(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2601(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 9992

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2964FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2964FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1469

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN4911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4911(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1556

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2904FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904FE(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1469

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN4901,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4901,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1493

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 4.7 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 4.7 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1611(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 159685

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1963(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1963(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 101550

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1472

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 50 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2911,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2911,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 148274

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1969FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1468

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN4984(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4984(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1414

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2903,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1496

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN4988(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4988(T5L,F,T)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 132419

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2908FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908FE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111376

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 22 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2709JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2709JE(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 180658

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 22 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN2604(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2604(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 165277

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 47 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 47 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
RN1902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902FE,LF(CT

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 121303

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಬೇಸ್ (ಆರ್ 1): 10 kOhms, ರೆಸಿಸ್ಟರ್ - ಎಮಿಟರ್ ಬೇಸ್ (ಆರ್ 2): 1 kOhms, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ