Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - FET ಗಳು, MOSFET ಗಳು - ಅರೇ
TPCF8402(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8402(TE85L,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2735

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, 3.2A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 50 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6L09FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L09FUTE85LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 24307

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 400mA, 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 700 mOhm @ 200MA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.8V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPCL4201(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4201(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2892

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.2V @ 200µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPC8207(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8207(TE12L,Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2742

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 20 mOhm @ 4.8A, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.2V @ 200µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6L11TU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L11TU(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2856

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 500mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 145 mOhm @ 250MA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.1V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPCL4203(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCL4203(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3305

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.2V @ 200µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPC8221-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8221-H,LQ(S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2821

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 25 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.3V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N7002BFU(T5L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFU(T5L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3306

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6P36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6P36FE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140070

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 P-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 330mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N48FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N48FU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 3270

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.2 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N39TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N39TU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2461

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 1.6A (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 119 mOhm @ 1A, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N35FE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 102707

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 180mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3 Ohm @ 50mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N7002KFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002KFU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 124781

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 300mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N43FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N43FU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 176574

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 500mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6L12TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L12TU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2495

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 500mA (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.1V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPC8408,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8408,LQ(S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 128587

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 40V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 6.1A, 5.3A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 32 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.3V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N36FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N36FE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 161424

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 500mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 630 mOhm @ 200mA, 5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N56FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 179879

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 800mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N15AFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 178067

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N15AFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 175270

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N58NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N58NU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111011

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 84 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6L16FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L16FETE85LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 192590

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.1V @ 0.1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N57NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N57NU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 182932

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 46 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPC8407,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8407,LQ(S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 151036

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, 7.4A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.3V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N7002CFU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002CFU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 164511

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Standard, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 170mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
TPC8223-H,LQ(S
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150969

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 9A, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 2.3V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N44FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 105414

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 30V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 100mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1.5V @ 100µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N7002BFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 179839

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 60V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 200mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 3.1V @ 250µA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6L39TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 111677

FET ಪ್ರಕಾರ: N and P-Channel, FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.8V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 800mA, ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 143 mOhm @ 600MA, 4V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 156819

FET ಪ್ರಕಾರ: 2 N-Channel (Dual), FET ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯ: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ಮೂಲ ವೋಲ್ಟೇಜ್ (ವಿಡಿಎಸ್ಎಸ್) ಗೆ ಹರಿಸುತ್ತವೆ: 20V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ನಿರಂತರ ಡ್ರೈನ್ (ಐಡಿ) @ 25. ಸಿ: 250mA (Ta), ಆರ್ಡಿಎಸ್ ಆನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ ಐಡಿ, ವಿಜಿಎಸ್: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (ನೇ) (ಗರಿಷ್ಠ) @ Id: 1V @ 1mA,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ