ಥೈರಿಸ್ಟರ್ಸ್ - ಎಸ್ಸಿಆರ್ಗಳು | ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಉತ್ಪನ್ನಗಳು | 21

VS-ST180C20C0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 720

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 350A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 660A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40TPS16PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 12393

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.85V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 35A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 55A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST083S08PFM1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 858

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.15V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 85A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 135A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230C14C1L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1143

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.69V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 410A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 780A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFJ1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 720

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C08K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 266

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1745A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3200A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS12STRL-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 60767

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16C3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 740

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1420A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-50RIA60M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 2615

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.6V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 50A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 80A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1200C12K0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 213

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.73V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1650A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3080A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1230C14K0P

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 335

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.62V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1745A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 3200A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S04P0V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 823

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12LFJ1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 429

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST300S18M0PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 383

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.8kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.66V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 300A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 470A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C04CFN1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 836

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S08P0PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 552

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 520A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S16P0PBF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 491

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 520A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S04PFL0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 445

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 300A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 471A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST230S08P1V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 736

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.55V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 230A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 360A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C04LFL0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 509

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1435A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303S08PFL1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 419

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 300A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 471A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST303C12CFK1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 662

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.16V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 620A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1180A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180C18C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 736

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.8kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 350A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 660A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI80

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1179

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 180A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 285A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330S14P0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 433

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.4kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.52V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 520A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-180RKI40

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1258

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 400V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 180A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 285A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFK0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1085

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.07V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 610A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST1000C22K0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 393

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 2.2kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.8V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1473A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2913A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST173C10CFP0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1001

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.07V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 610A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333S08PFL0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 471

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 330A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 518A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-25TTS16STRL-M3

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 52738

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 45mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.25V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 16A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 25A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST330C16L0L

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 572

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1.6kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1420A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST180S08M1V

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 737

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.75V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 314A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST380CH06C1

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 737

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 600V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.58V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 960A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 2220A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-ST333C08LFM0

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 441

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 800V, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 200mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.96V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 720A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 1435A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-181RKI100

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 1038

ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆಫ್ ಸ್ಟೇಟ್: 1kV, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಗೇಟ್ ಟ್ರಿಗ್ಗರ್ (ವಿಜಿಟಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2.5V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಗೇಟ್ ಪ್ರಚೋದಕ (ಇಗ್ಟ್) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ವಿಟಿಎಂ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.35V, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇಟ್ (ಎವಿ)) (ಗರಿಷ್ಠ): 180A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಆನ್ ಸ್ಟೇಟ್ (ಇದು (ಆರ್ಎಂಎಸ್)) (ಗರಿಷ್ಠ): 285A,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ