Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ
2SD2695(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CNO,A,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7027

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2695(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7067

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2695(T6CANO,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695(T6CANO,A,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6998

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2257,NIKKIQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,NIKKIQ(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7056

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2257,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,Q(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6993

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2257(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7066

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2257,KEHINQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257,KEHINQ(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6789

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2257(CANO,A,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,A,Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6792

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2257(CANO,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2257(CANO,Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6778

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2206A(T6SEP,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206A(T6SEP,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6989

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2206,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7064

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2206(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(TE6,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7008

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2206(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CNO,A,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7045

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2206(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2206(T6CANO,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7037

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2129,ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,ALPSQ(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7039

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1.5A, 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SD2129,LS4ALPSQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2129,LS4ALPSQ(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7003

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1.5A, 3V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC6042,T2WNLQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2WNLQ(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7001

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 375V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC6139,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6139,T2F(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6717

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1.5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 160V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 140 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC6040,T2Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040,T2Q(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7021

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC6042,T2HOSH1Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6042,T2HOSH1Q(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7019

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 375V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC6010(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6010(T2MITUM,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6714

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC6040(TPF2,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6040(TPF2,Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7015

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 800V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5930(TPF2,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(TPF2,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6994

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 40 @ 200mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5930(T2MITUM,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5930(T2MITUM,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6971

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 40 @ 200mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5201,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6716

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 20mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5201,T6MURAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,T6MURAF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7019

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 20mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5201,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6724

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 20mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5201(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(TE6,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6968

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 20mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5172(YAZK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5172(YAZK,Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7006

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 250mA, 2A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 20µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 20 @ 500mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5201(T6MURATAFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5201(T6MURATAFM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7026

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 600V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 20mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5171,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,Q(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6967

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 180V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5171,ONKQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,ONKQ(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6979

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 180V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5171(ONK,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(ONK,Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6992

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 180V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5171,MATUDQ(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171,MATUDQ(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7059

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 180V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5171(LBS2MATQ,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5171(LBS2MATQ,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6988

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 180V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4935-Y,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4935-Y,Q(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7005

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ