Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ
2SC2229-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6978

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6957

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7016

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(T6ONK1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6992

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6990

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(SAN2,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7022

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7021

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(MIT,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6703

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(MIT1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6975

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(T6SHP1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7020

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7022

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(T6SAN2FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6954

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6948

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(SHP1,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6990

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(SHP,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6947

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(MITIF,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7035

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-O(MIT1F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7005

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229(TE6SAN1F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6999

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC1627A-O,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7004

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 400mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 50mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC1627A-Y,PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6754

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 400mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 50mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1495,Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6942

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1495,Q(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6995

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 2A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1457,T6YMEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7000

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1481(TOJS,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6996

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 4A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 2µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 3A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1457,T6TOTOF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6949

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1457(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6958

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1457(T6CNO,A,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6947

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1375,CLARIONF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6980

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 60V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 500mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SB1457(T6CANO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7012

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 100V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 10µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 2000 @ 1A, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-Y,T6KOJPF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6968

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7012

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-Y,SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6956

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6980

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-Y(T6CANO,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6968

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-Y(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7009

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA965-O,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6956

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ