ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ

ಮನೆ
ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ

2SA1837,S1CSF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7010

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1837,HFEYHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6997

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1837,HFEYHF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6944

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6994

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1837(PAIO,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6991

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1837(LBSAN,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6710

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6956

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6934

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6947

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7016

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1680,T6SCMDF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6980

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1680,T6ASTIF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7010

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6927

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6950

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1680(T6DNSO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6992

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1429-Y(T2TR,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6995

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1429-Y(T2OMI,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6951

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1428-Y,T2F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6771

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1428-Y,T2F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6920

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1428-O,T2WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6933

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1428-Y(T2TR,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7010

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1428-O,T2CLAF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6706

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1428-O,T2CLAF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7011

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1425-Y,T2F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6927

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1382,T6MIBF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6952

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 33mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 150 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1315-Y,T6ASNF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6974

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1315-Y,HOF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6974

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6924

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y,T6KEHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6919

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y,HOF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6991

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 7009

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y(T6TR1,AF

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6921

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6978

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y(T6ND3,AF

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6994

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y(T6OMI,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6OMI,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6918

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

2SA1020-Y(T6FJT,AF

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6FJT,AF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6960

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ

361

«
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
»