Menu
ಕನ್ನಡkannaḍaಕನ್ನಡkannaḍa
Rfqs / ಆದೇಶ
0Rfqs / ಆದೇಶ

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ

  • ಮನೆ
  •  
  • ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್‌ಗಳು - ಬೈಪೋಲಾರ್ (ಬಿಜೆಟಿ) - ಏಕ
2SA1930(Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 150987

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 180V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1887(F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6584

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 10A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1A, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1244-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6565

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 1A, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1242-Y(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6708

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 5A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 20V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2655-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6350

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC3328-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6392

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 80V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2655-Y,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6324

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2383-Y(T6DNS,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6336

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 160V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 60 @ 200mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2235-Y,USNHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6349

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2655-O(ND1,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6343

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 2A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 500mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1586-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 140733

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC3265-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 142540

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 25V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 160 @ 100mA, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1162-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 116579

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC3325-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 147650

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 100mA, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1588-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 193749

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 30V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1162S-Y, LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5659

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4793(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 163735

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5200-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 22720

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 15A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 5µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 1A, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1837(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 96385

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1313-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 166553

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 100mA, 1V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4738-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 198197

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 200 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4116-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 109658

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4116-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 189229

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5232BTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5292

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 500mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 12V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 500 @ 10mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4738-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 6617

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 150mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 350 @ 2mA, 6V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1955FVBTPL3Z
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 123818

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 400mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 12V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 300 @ 10mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SA1955FVATPL3Z
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 148939

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: PNP, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 400mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 12V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 300 @ 10mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5549,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5308

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 20 @ 40mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC5459(TOJS,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5238

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 400V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 20 @ 300mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC3672-O(T2ASH,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5234

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 100mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 300V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 30 @ 20mA, 10V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4793,YHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5270

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4793,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5274

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 1A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 230V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 1µA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 100 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC4604,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5285

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 3A, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 50V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 120 @ 100mA, 2V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2235-Y(T6KMATFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5224

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 800mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 120V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 80 @ 100mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(T6MITIFM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5266

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ
2SC2229-Y(T6MIT1FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

ಭಾಗ ಸಂಗ್ರಹ: 5302

ಟ್ರಾನ್ಸಿಸ್ಟರ್ ಪ್ರಕಾರ: NPN, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಸಂಗ್ರಾಹಕ (ಐಸಿ) (ಗರಿಷ್ಠ): 50mA, ವೋಲ್ಟೇಜ್ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಹೊರಸೂಸುವ ಸ್ಥಗಿತ (ಗರಿಷ್ಠ): 150V, Vce ಸ್ಯಾಚುರೇಶನ್ (ಗರಿಷ್ಠ) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, ಪ್ರಸ್ತುತ - ಕಲೆಕ್ಟರ್ ಕಟಾಫ್ (ಗರಿಷ್ಠ): 100nA (ICBO), ಡಿಸಿ ಕರೆಂಟ್ ಗೇನ್ (ಎಚ್‌ಎಫ್‌ಇ) (ಕನಿಷ್ಠ) @ ಐಸಿ, ವಿಸಿ: 70 @ 10mA, 5V,

ಬಯಕೆಪಟ್ಟಿಗೆ